5 adam görýär
(24 baha)
Производитель Samsung Объем накопителя 512 GB Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Форм-Фактор 2242 / 2280 Тип чипов памяти V-NAND Скорость последовательного чтения 6000 MB/s Скорость последовательной записи 5600 MB/s Гарантия 12 месяцев Объём Объем накопителя 512 GB Интерфейсы Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Форм-Фактор 2242 / 2280 Бренд Производитель Samsung Чипы Тип чипов памяти V-NAND Скорость Скорость последовательного чтения 6000 MB/s Скорость последовательной записи 5600 MB/s Срок гарантии Гарантия 12 месяцев Скрыть
1
Çalt eltip bermek hyzmaty
Ygtybarly töleg
24/7 müşderi goldawy
Производитель Samsung Объем накопителя 512 GB Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Форм-Фактор 2242 / 2280 Тип чипов памяти V-NAND Скорость последовательного чтения 6000 MB/s Скорость последовательной записи 5600 MB/s Гарантия 12 месяцев Объём Объем накопителя 512 GB Интерфейсы Интерфейс PCI Express 4.0 x4 (NVMe) Форм-Фактор 2242 / 2280 Бренд Производитель Samsung Чипы Тип чипов памяти V-NAND Скорость Скорость последовательного чтения 6000 MB/s Скорость последовательной записи 5600 MB/s Срок гарантии Гарантия 12 месяцев Скрыть
620 TMT
2644 TMT
4399 TMT
577 TMT
